Лента TH Новости Новости без рубрики


Создано улучшенное гибкое запоминающее устройство

∴ 156

Впервые исследователям удалось нанести ультратонкую оксидную сегнетоэлектрическую пленку на гибкую полимерную подложку. Исследовательская группа использовала гибкие сегнетоэлектрические тонкие пленки, чтобы сделать энергонезависимые запоминающие устройства пригодными для ношения и эластичными.

274

Исследователи работали с оксидом гафния, или гафния, материалом, который имеет сегнетоэлектрические свойства при нанесении в виде тонкой пленки. Это позволяет записывать информацию и хранить ее, без источника энергии. Толщина слоя от 20-ти до 50-ти нанометров.

Сегнетоэлектрические материалы способны хранить заряд, что делает их идеальными для энергонезависимых запоминающих устройств. Но сегнетоэлектрические материалы имеют тенденцию быть хрупкими и обычно должны быть изготовлены при высоких температурах, что приведет к разрушению большинства полимеров. Теперь мы нашли способ создать чрезвычайно тонкую пленку из сегнетоэлектрического материала, которую можно изготовить при низких температурах.Джейкоб Джонс, профессор материаловедения и инженерии в Университете штата Северная Каролина

Самое интересное в этой работе — способность делать ферроэлектрические тонкие пленки при низких температурах и интегрировать их с органическими полупроводниками на основе углерода, чтобы сделать устройства с высокой гибкостью.Фрэнки Со, соавтор исследования

Материал прошел испытания и способен хранить память даже после тысячи сгибаний.

Филипп Дончев