Лента TH Новости Глобальные вызовы


Создан оксидный полупроводник, толщиной в один атом

∴ 103

Новое исследование ученых из UNIST, представило новый способ изготовления полупроводников. Результатом работы стал полупроводник толщиной в один атом.

68

Полупроводник был создан группой ученых под руководством Ли Зонгхун, профессор в области материаловеденья и инженерии института UNIST (Национальный институт науки и технологий Ульсана, Южная Корея). В рамках исследования, профессору удалось продемонстрировать формирование двумерного оксида цинка, что и является полупроводником, в толщину атома.

Материал формируется посредством выращивания слоя графена, благодаря созданию осадка, в виде слоя. Данный продукт ценен в области гибкой электроники. Благодаря ему, устройства не только будут гибкими, но и сохранят при этом высокие вычислительные мощности.

Графен рассматривается как аналог кремния, в вычислительных устройствах. Однако в графене невозможно контролировать остановку электронов и их движение. Использование цинка предоставляет эту возможность.

Филипп Дончев