Лента TH Новости Новости без рубрики


Оперативная память на 8 гигабайт LPDDR4 DRAM анонсирована Samsung

∴ 339

Оперативная память на 8 гигабайт LPDDR4 DRAM анонсирована SamsungDRAM 8Гб / Samsung

Samsung представила общественности новый модуль оперативной памяти LPDDR4 DRAM на 8Гб для ультрабуков и других мобильных гаджетов. Подробности опубликованы в блоге Samsung.

Модуль LPDDR4 DRAM разработан на 10-нанометровом техпроцессе. Таким образом, Samsung стала первой компанией, которая разрабатывает транзисторы на рекордном техпроцессе. Оперативная память 8GB LPDDR4 работает со скоростью до 4,266 мб/сек, что в два раза быстрее, чем DDR4 DRAM для персональных компьютеров, работающих, как правило, на скорости до 2,133 Мбит/сек.

Появление нашего модуля оперативной памяти DRAM 8GB позволит создать новое поколение флагманских ультрабуков и других мобильных гаджетов. Мы продолжим предоставлять передовые решения для устройств памяти, предлагая самые высокие характеристики и передовые преимущества для удовлетворения растущих потребностей новых мобильных устройств, использующих камеры, 4K-UHD и VR-функции.Joo Sun Choi, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу Samsung Electronics

Samsung планирует расширение линейки DRAM продуктов, основанных на 10-нанометровом техпроцессе.