Лента TH Статьи о науке и технике


Для микросхем в будущем будет использован растянутый кремний

∴ 137

Известно, что для того, чтобы чипы стали иметь более высокую производительность и меньшее энергопотребление, ученые разработали специальный метод, который позволяет решить эти проблемы.

Для микросхем в будущем будет использован растянутый кремний

Исследователи из университетов в Швейцарии сумели добиться формирования в слое кремния проводников шириной в тридцать нанометров, которые имеют высочайшее механическое напряжение — 7,6 ГПа. Так были снижены паразитные емкости и токи утечки. Ученые при этом решили сократить потери тепла в местах соединений в микротранзисторах при помощи улучшения самих полупроводниковых свойств материала, т.е. они обошлись без введения в их состав новых материалов, например, тантала и гафния.

Если конкретнее — ученые решили растянуть кремний в буквальном смысле этого слова. Дело в том, что такое растяжение приводит к увеличению мобильности электронов на участке т.н. мостиков — наноразмерных полупроводников. Именно на таких участках микротранзисторы переключаются быстрее. Так, ученые изготовили микросхему из растянутой почти на пять процентов кремниевой пластины микросхему, одновременно препятствуя ее обратному сжатию.