Лента TH Статьи о науке и технике


FeTRAM — сегнетоэлектрическая транзисторная память

∴ 212

Разработан FeTRAM — сегнетоэлектрическая транзисторная память

Ученые из США провели испытания единичной ячейки памяти, которую основали на новых принципах и материалах. В будущем данная разработка сможет повысить объем записанной информации и увеличить скорость работы памяти. При этом ожидается сокращение потребления энергии в несколько раз.

Исследователи использовали для записи некоторых данных новый органический сегнетоэлектрический полимер (PVDF-TrEE). Особенность данного полимера заключается в способности переключения своей поляризации при воздействии на него электрического поля. Два положения поляризации способно отразить 0 и 1.

Добавив к данному полимеру обычные полупроводники с подложкой, а также нанопровода из кремния, ученые получили одну ячейку энергозависимой памяти. Ее название FeTRAM, что расшифровывается как сегнетоэлектрическая транзисторная оперативная память. Название нового изобретения напоминает уже существующую память — FeRAM, и это не случайно, ведь их объединяет много общего. Например, это применение сегноэлектрика.

Однако, большие отсутствия присутствуют: хранит биты в FeRAM конденсатор, а вот в FeTRAM хранением занимаются транзисторы. Поэтому главное преимущество нового изобретения — состояние ячейки не разрушается, ведь процесс считывания — не деструктивный.

Как сообщают PhysOrg.com, FeRTAM должна быть намного быстрее, чем память SRAM.

Но появление FeTRAM на рынке произойдет еще совсем не скоро. Требуется доработка при переходах к крупному массиву, а также уменьшение прожорливости ячейки.