Лента TH Статьи о науке и технике


Получен новый метод создания транзисторов 3D

∴ 128

Получен новый метод создания транзисторов 3D

Сингапурские специалисты из компании «A*STAR», занимающейся наукой, технологиями и исследованиями, создали новую уникальную методику, по которой можно уменьшить площадь двух транзисторов одновременно.

Методика касается 3D-компоновки и довольно проста в применении, однако, довольно-таки оригинальна. На фото наглядно показан такой вариант. Специалисты предлагают идею, которая заключается в следующем. С помощью одного нанопроводника транзисторы размещаются один над другим. При этом используются специальные опоясывающие затворы, известные, как «wrap-around gates». Они имеют цилиндрическую часть, в центре которой проходит нанопроводник. Между этими затворами имеется диэлектрический и изолирующий слой.

На основе таких транзисторов, расположенных вертикально, ученые уже смогли продемонстрировать, каким образом можно создать простейший логический элемент. Ток в такой схеме начинает протекать тогда, когда на обоих затворах наблюдается высокое напряжение. В обратном случае ток отсутствует. Главным преимуществом такого устройства является его небольшой размер, который, по сути, сокращен вдвое. Использоваться оно может в перспективе во всех электронных схемах, представленных в виде 3D-структур.