Лента TH Статьи о науке и технике


Разработана методика по улучшению характеристик памяти РСМ

∴ 137

Разработана методика по улучшению характеристик памяти РСМ

Над этой разработкой потрудились ученые из университета Лос-Анджелеса и Райса, и коснулась она на этот раз памяти с изменяемым фазовым состоянием — РСМ.

Дело в том, что такой вид памяти сегодня является весьма перспективной альтернативой флеш-накопителям, которые, в свою очередь, сегодня так широко распространены. Чипы РСМ работают на основе материала, известного, как халькогенид. Это вещество способно находиться в двух фазовых стабильных состояниях. В первом он становится аморфным и непроводящим, а во втором — кристаллическим проводником. Изменить же состояние можно путем переключения между логическими нулем и единицей.

Так вот, ученые сумели разработать новый способ кодирования данных в таких микрочипах, что позволяет намного снизить энергопотребление во время записи информации — практически на 30 процентов. Эта схема характеризуется тем, что при переходе из одного состояния в другое требуется интенсивный нагрев, но в короткий промежуток времени. Для того чтобы вернуться обратно, нагрев необходим меньший, но более продолжительный. В их разработку входит и то, что путем комбинирования двух методов — целочисленного и динамического линейного программирования — можно снизить перемещение битов данных до минимума.