Лента TH Статьи о науке и технике


Реализована эластичная память на мемристорах

∴ 167

Реализована эластичная память на мемристорах

Новая схема получилась очень эластичной и энергонезависимой. Существенный недостаток этого образца — крайне маленький объем памяти. Эта электронная схема получила название мемристоры, а сопротивление устройства полностью зависит от того, какой заряд был пропущен через схему ранее.

Недавно уже демонстрировались опытные образцы мемристоров, а вот гибкая схема представлена впервые.

Мемриторы были получены из аморфного диоксида титана, толщина которого измеряется на атомном уровне. Затем этот материал соединяется алюминиевыми электродами, а верхний слой покрывается небольшим количеством ионов кислорода. Таким образом, если подключить к электроду отрицательное напряжение, то сопротивление снижается за счет того, что ионы кислорода перемещаются в мемристор. Если переключить полярности, то кислород вернется на место, а ячейка получит состояние «двоичный ноль».

Реализована эластичная память на мемристорах

Для того, чтобы считывать информацию, потребуется всего 0,5 вольта. Ток проходит через мемистор и измеряется. Ячейка может иметь два состояния, и отличие в значениях контрольного тока может иметь отличие в 50 раз. Чтобы информация считывалась с нужного мемристора, каждый из них оснащен гибким кремниевым транзистором.

Чип имеет всего 64 ячейки, а его размер составляет 1 квадратный сантиметр. Даже если согнуть чип так, что радиус его кривизны составит 8,4 миллиметра, то он сможет стабильно работать. Чип согнули более, чем тысячу раз и устройство тест выдержало.