Лента TH Статьи о науке и технике


ReRAM — энергонезависимая резистивная память с произвольным доступом

∴ 327

ReRAM — энергонезависимая резистивная память с произвольным доступом

Принципиально новый по своему строению и инновационный микрочип для хранения информации создали ученые из лондонского Университетского колледжа (Великобритания). Новая разработка названа ReRAM — энергонезависимая резистивная память, имеющая произвольный доступ.

Данный вид памяти совмещает в себе достоинства сразу двух систем — флеш-памяти NAND и технологии DRAM. К последней относится уровень быстродействия системы, куда добавляется абсолютная энергонезависимость. Если новую технологию сравнивать с NAND, то первая потребляет намного меньше энергии и в то же время имеет гораздо большее число циклов перезаписи. Основой чипа ReRAM является диоксид кремния, который способен функционировать в обычных условиях. Что же касается подобных ему разработок – все они способны работать лишь в вакууме, соответственно, это делает их весьма ограниченными в применении.

Почти в тысячу раз меньше энергии требует новинка по сравнению с флеш-памятью, а прирост ее производительности равняется ста. Разработка может стать началом для производства прозрачных чипов с памятью. Использовать же ее можно будет в небольших аппаратах: мобильных телефонах, плеерах, видеокамерах и др.