Лента TH Статьи о науке и технике


RRAM — прозрачная резистивная память на основе мемристоров

∴ 142

RRAM – прозрачная резистивная память на основе мемристоров

Новая технология, названная кратко «RRAM», предложена исследователями из университета Орегона (Америка). Основой этой прозрачной резистивной памяти предлагается сделать мемристоры (их цепочка изображена на фото).

После резистора последние являются четвертым элементом в микросхемах, который относится к пассивным. Сюда же можно отнести катушки индуктивности и конденсатор. Элемент данного типа выполняет реакцию гистерезиса, где ключевой является состояние системы, которая определяется историей ее взаимодействий. Такой элемент, как мемристор, можно использовать как ячейку памяти, благодаря тому, что его атомная структура меняется из-за прохождения через него тока, что ведет к изменению его сопротивления в тысячу и даже более раз.

Для формирования таких прозрачных микросхем можно использовать оксиды олова и цинка. В итоге, как утверждают ученые, можно получать изделия, которые будут иметь высокое быстродействие и небольшое энергопотребление. А данные можно будет хранить даже в отсутствии питания. В итоге можно будет выпускать новые электронные устройства, например, информационные дисплеи, интегрированные в лобовые автостекла.